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紫外激光切割控制技术在积体电路金融行业应用领域的竞争优势

  近些年随著电子元件传输速率的减少, 晶片尺寸、切割道宽等适当地急速增大。晶圆及晶片的长度愈来愈薄,但虽然积体电路金属材料的塑性,传统切割方式会对晶圆的反面和左上角造成机械设备位移,而高速路的溪水也会给晶圆带来位移压力,结果在晶片的固体内部造成位移受损, 容易造成崩边现象,同时造成浮游植物环境污染,降低晶片的机械设备气压,如上所述的晶片边沿沟槽在先期的PCB工艺中或在产品的使用中会更进一步蔓延,进而可能引起晶片脱落,导致高聚物失灵。

紫外激光切割

  虽然紫外光的可见光在 0.4 μm 以下,因此尼奇基可小到亚nm量级,使紫外激光在晶片划切时, 紫外激光工艺的圆孔 (在切割时金属材料损失的部分)比其他控制技术的更窄,圆孔长度均大于3μm,因此圆孔更密切、圆孔边沿更弯曲、更精巧和更扁平。虽然紫外激光具有良好的著眼性能和TNUMBERAP的优点,使紫外激光能研磨极为细微的组件;除此以外,能被用来研磨红外线和红外线线激光器研磨不了的金属材料。进而使紫外激光有更高的稳定性和更广的应用领域公开场合。

  虽然紫外激光切割控制技术在积体电路晶片切割中的竞争优势,欧美国家已经广泛采用此项工艺控制技术,的的一些中高档的晶片 (如薄晶片、GaAs 晶圆)和批量生产的晶片(如光碟 LED 制造)各方面。目前来看紫外激光控制技术还有很大的待开发创造力,它将在单位晶圆裸片数量和延长投资周期长各方面有更进一步的发展,它将为积体电路晶片切割拓展出一片新的发展前景。


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